SAMSUNG Electronics, leader mondial des technologies avancées de mémoire, annonce que sa gamme complète de modules de mémoire SoDIMM (Small outline dual-inline memory modules) DDR3 à 800 et 1066 mégabits par seconde (Mbit/s) de débit a passé avec succès tous les tests de validation d’Intel pour une utilisation sur la première plateforme mobile DDR3 à venir de la marque, le processeur Intel Centrino 2.
Les six modules SoDIMM DDR3 de SAMSUNG ont été conçus à l’aide de la technologie de gravure à 60 nanomètres (nm), dont le meilleur rendement permet d’augmenter la capacité de mémoire des ordinateurs portables.
" Nous sommes heureux que nos mémoires SoDIMM DDR3 aient été validées par Intel pour une utilisation avec la gamme de chipsets Mobile Intel 45 Express " déclare Kevin Lee, vice-président marketing technique pour SAMSUNG Semiconductor Inc. " SAMSUNG a joué un rôle moteur dans le développement des mémoires DDR3 et nous nous préparons à répondre à la demande qui suivra la sortie du nouveau processeur Intel Centrino 2. "
" La mémoire DDR3 de SAMSUNG a été testée avec succès sur la plateforme mobile Intel de nouvelle génération ", confirme Ali Sarabi, directeur des initiatives et des prospectives marché chez Intel Corp. " La DDR3 est bien partie pour devenir la technologie de mémoire de référence pour les nouveaux ordinateurs commercialisés en 2008 et dans les années à venir. "
L’association des modules SoDIMM DDR3 SAMSUNG et de la technologie du processeur Intel Centrino 2 offrira à la fois de meilleures performances et une moindre consommation d’énergie, avec une production en série des DDR3 prévue dès le deuxième trimestre 2008.
SAMSUNG produit déjà en série des DDR3 à des débits allant jusqu’à 1333 Mbit/s, au format UDIMM (Unbuffered DIMM), embarqués sur des PC de bureau haut de gamme.
SAMSUNG estime que les DDR3 devraient représenter au moins 10 pour cent du marché des mémoires DRAM au second semestre de cette année
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