Samsung nous prouve une fois de plus qu'il est une fois de plus le leader en innovation dans le domaine de la mémoire. Cette fois-ci l'innovation concerne de le mermoire Flash puisque le constructeur coréen vient d'annoncer avoir reussi à quadruplé de la mémoire Flash NAND, il a ainsi présenté un module d’une capacité de 8 Gbits soit environ1 Go. Cette nouvelle celllule de mémoire multi-level canal (MLC) (...)
Cette nouvelle cellule est gravée en
60 nm permet de fabriquer des méoires d'une capacité de près de
8 Go. Par la mise côte à côte de deux modules de mémoire
4 Go. Constitués eux mêmes de
4 die de
8 Gbits. Selon certaines rumeurs on pourrait voir apparaître un
iPod utilisant ce type de mémoire.
Samsung annonce également que cette nouvelle finesse de gravure en 60 nm, on a un rendement
25 % supérieur à la normale a la sortie d'usine.
Samsung ne compte pas s'arrêter là et pense également intégrer ces nouvelles puces sous la dénomination
moviNAND qui peuvent atteindre les
2 Go et qui seront surtout destinés aux télépones portables.
Microsoft Zune enfin de nouvelles précisions.